簡(jiǎn)要描述:MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器:這款四通道探測(cè)器基于四個(gè)芯片,每個(gè)芯片包含44個(gè)硅熱電偶。通過在TO39封裝中填充氪氣,IR熱電堆實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.61*10^8 cm√Hz/W的探測(cè)度和高達(dá)39 V/W的靈敏度,同時(shí)具有非常好的性價(jià)比。該探測(cè)器適用于車輛尾氣測(cè)量、過程分析或工業(yè)氣體測(cè)量等多種應(yīng)用,在-20至85°C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,因此在NDIR組件產(chǎn)品組合中提供了額外的選擇。
詳細(xì)介紹
品牌 | Micro-Hybrid | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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MTS4SENS44 3C-1
MTS4SENS44TEST
MTS4SENS44NOX
MTS4SENS44 3C-2
MTS4SENS200 TEST
MTS4SENS200 NOX
MTS4SENS200 3C-1
MTS4SENS200 3C-2
MTS4SENS200 anesthesia
描述
MTS4SENS44 3C-1 二氧化碳探測(cè)器是一款四通道探測(cè)器,用于測(cè)量選定氣體:一氧化碳(CO)(中心波長(zhǎng):4650 ± 40 nm,半高寬:180 ± 20 nm)、二氧化碳(CO2)(中心波長(zhǎng):4265 ± 25 nm,半高寬:120 ± 10 nm)和碳?xì)浠衔铮ㄖ行牟ㄩL(zhǎng):3400 ± 20 nm,半高寬:140 ± 20 nm),以及參考通道(中心波長(zhǎng):3910 ± 28 nm,半高寬:70 ± 10 nm)。
這款四通道探測(cè)器基于四個(gè)芯片,每個(gè)芯片包含44個(gè)硅熱電偶。通過在TO39封裝中填充氪氣,IR熱電堆實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.61*10^8 cm√Hz/W的探測(cè)度和高達(dá)39 V/W的靈敏度,同時(shí)具有非常好的性價(jià)比。該探測(cè)器適用于車輛尾氣測(cè)量、過程分析或工業(yè)氣體測(cè)量等多種應(yīng)用,在-20至85°C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,因此在NDIR組件產(chǎn)品組合中提供了額外的選擇。
集成的熱敏電阻用于參考溫度確定,接地吸收器確保將輻射能高效轉(zhuǎn)換為熱能。然后,熱電偶將熱能轉(zhuǎn)換為電能。
應(yīng)用
l醫(yī)療技術(shù):麻醉設(shè)備、患者監(jiān)測(cè)
l環(huán)境工程:監(jiān)測(cè)沼氣廠中的CH4
l實(shí)驗(yàn)室技術(shù)/生物工程:測(cè)量細(xì)胞和組織生長(zhǎng)中的CO2和H2O,檢測(cè)C2H5OH
l工業(yè)過程控制:檢測(cè)SO2、NO、CO和其他相關(guān)工藝氣體
l安全技術(shù)/防爆保護(hù):CO2、CO、CH4檢測(cè)
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
l由于使用了最佳材料,如BiSb/Sb用于熱電效應(yīng)(MTS200),性能較完善。
l最佳探測(cè)度
l高靈敏度
特點(diǎn)
l多氣體解決方案
l使用不同氣體進(jìn)行回填以適應(yīng)性能
l可定制
技術(shù)參數(shù)
技術(shù)參數(shù) | TS 200 | TS 44 | 單位 |
有效面積 | 4 x (1.2 x 1.2) | 4 x (1.0 x 1.0) | mm2 |
相對(duì)孔徑 | 4 x (1.5 x 1.5) | 4 x (1.5 x 1.5) | mm2 |
熱電偶數(shù)量 | 200 | 44 |
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時(shí)間常數(shù)0-63%1,2,3 | typ. 51 | typ. 13 | ms |
直流輸出電壓1,2,3 | typ. 9.35 | typ. 1.47 | mV |
直流靈敏度1,2,3 | typ. 171 | typ. 39 | V/W |
噪聲電壓2 | typ. 33 | typ. 24 | nV/Hz? |
噪聲等效功率NEP1,2,3 | typ. 0.19 | typ. 0.62 | nW/Hz? |
比靈敏度D*1,2,3 | typ. 6.27*108 | typ. 1.61*108 | cmHz?/W |
熱電堆的電阻2 | typ. 65 | typ. 35 | kΩ |
熱敏電阻 | PTC Ni1000,其他按需提供:技術(shù)規(guī)格請(qǐng)參見文件“熱敏電阻"。 | ||
充填氣體3 | Kr,其他按需提供 | ||
濾光 | 請(qǐng)參見文件“紅外濾光片",定制濾光片按需提供。 | ||
工作溫度 | -20 ... +85 | -20 ... +85 | °C |
外殼 | TO39 | TO39 |
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1. 在T=500 K,E=38 W/m2的情況下,不受濾波器特性的影響。
2. 在Tamb = 25 °C時(shí)。
3.使用氪氣填充,其他氣體根據(jù)客戶要求提供。
典型操作特性
電氣示意圖
電路
等效電路圖
機(jī)械制圖
底部
頂部
截面圖MTS1TEMP80/44
截面圖
產(chǎn)品概述
型號(hào) | 類型 | 填充氣體 | 低溫度 | 最高溫度 | 光圈 | 應(yīng)用 |
TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-D2/E1/F1/G2 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 180 °C | 1.5 mm | 低二氧化碳濃度的3C |
TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-D2/E2/F1/G2 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 高二氧化碳濃度的3C |
TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-E1/K1/V1/W1 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 麻醉 |
TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-I1/E1/M1/D2 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 測(cè)試 |
TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-I1/L1/H1/D5 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 氮氧化物 |
TS4x44S-A-S1.5-1-Kr-D2/E1/F1/G2 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 低二氧化碳濃度的3C |
TS4x44S-A-S1.5-1-Kr-D2/E2/F1/G2 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 高二氧化碳濃度的3C |
TS4x44S-A-S1.5-1-Kr-I1/E1/M1/D2 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 測(cè)試 |
TS4x44S-A-S1.5-1-Kr-I1/L1/H1/D5 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 氮氧化物 |
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